Методом спектроскопии комбинационного рассеяние света (КРС) исследованы различные пики образцов кремния, имплантированных ионами марганца энергией 40 кэВ. На основе данных КРС, полученных для образцов с различными дозами определены три характерные области: дозе первого соответствует накопление точечных дефектов (3,1∙1012 ÷ 1,2∙1013 см-2 ), второму (3,2∙1013 ÷3,0∙1014 см-2 ) и возникновение зародышей аморфной фазы, третьему (3,0∙1014÷6,0∙1014 см-2 и выше) полная аморфизация приповерхностного слоя кремния