В статье показан выбор оптимального режима технологического процесса роста эпитаксиальных слоев твердых растворов Si1-xGex из оловянного и галлиевого раствора – расплава на подложку Si, с наименьшими плотностями дислокации, которые достигнуты экспериментально нами. Обнаружена экспоненциальная зависимость между величинами плотности дислокации и толщины плёнки. С плавным переменным составом структуры, избегая от разности параметров решеток Si и Ge получены структурно совершённые эпитаксиальные слои Si1-xGex (0