Ma'lumot

ВЫРАЩИВАНИЕ И СТРУКТУРНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭПИТАКCИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ТВЕРДОГО РАСТВОРА Si1-xGex (0<x<1)

А.С.Саидов1 , А.Ш.Раззоков2


В статье показан выбор оптимального режима технологического процесса роста эпитаксиальных слоев твердых растворов Si1-xGex из оловянного и галлиевого раствора – расплава на подложку Si, с наименьшими плотностями дислокации, которые достигнуты экспериментально нами. Обнаружена экспоненциальная зависимость между величинами плотности дислокации и толщины плёнки. С плавным переменным составом структуры, избегая от разности параметров решеток Si и Ge получены структурно совершённые эпитаксиальные слои Si1-xGex (0



https://doi.org/10.59251/2181-1296.v3.1211.1132

Sahifalar soni 01-10 | 170 Ko'rishlar | 131 Yuklab olishlar

To'liq maqolani yuklab olish