Получены твердые растворы Ge21-x(GaAs)x  из свинцового и висмутового раствора-расплава при температуре начала кристаллизации в интервале соответственно, 860-760 0C (Pb), 650-600 0C (Bi). Скорость охлаждения раствора-расплава составляла 1-1.5 K/минут. В качестве подложек использовали монокристаллические подложки GaAs с ориентацией (100), с n-типом проводимости, с отклонением от плоскости, не превышающим 15' - 30'. Определены концентрация носителей заряда, концентрация акцепторных центров. Установлено, механизм влияние время релаксация носителей заряда на примесных и дислокационных центров в пленки.